Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 4.01051 CHF
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
Codice DigiKey	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB21N50C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPB21N50C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 560 V 21 A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPB21N50C3ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 95 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 560 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPB21N50
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 13,1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.01051

SPB21N50C3ATMA1