Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 3.81593 CHF
Availability: InStock

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SPB80P06PGATMA1
Codice DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPB80P06PGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 80 A (Tc) 340W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPB80P06PGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 64A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 5,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5033 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	340W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SPB80P06