Name: SPD03N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND
Price: 1.54583 CHF
Availability: InStock

Canale N 600 V 3,2 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3

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SPD03N60C3ATMA1
Codice DigiKey	448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-SPD03N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD03N60C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,2 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD03N60C3ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 135µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Data di acquisto finale	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2A, 10V	Codice componente base SPD03N60

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPN60R1K0PFD7SATMA1	Infineon Technologies	1’402	448-IPN60R1K0PFD7SATMA1CT-ND	Fr. 0.89000	Consigliato dal produttore
STD7N60M2	STMicroelectronics	7’079	497-13941-1-ND	Fr. 1.53000	Diretto
STD5N80K5	STMicroelectronics	3’966	497-16929-1-ND	Fr. 1.91000	Simile

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