Canale P 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale P 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD08P06PGBTMA1

Codice DigiKey
SPD08P06PGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SPD08P06PGBTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
SPD08P06PGBTMA1
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SPD08P06PGBTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6,2V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 10A, 6,2V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
420 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.97000Fr. 0.97
10Fr. 0.60900Fr. 6.09
100Fr. 0.40050Fr. 40.05
500Fr. 0.31064Fr. 155.32
1’000Fr. 0.28171Fr. 281.71
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.23400Fr. 585.00
5’000Fr. 0.21589Fr. 1’079.45
7’500Fr. 0.20667Fr. 1’550.02
12’500Fr. 0.19631Fr. 2’453.88
17’500Fr. 0.19368Fr. 3’389.40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.97000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.04857