Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD30P06PGBTMA1

Codice DigiKey
SPD30P06PGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SPD30P06PGBTMA1
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 30 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SPD30P06PGBTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
75mohm a 21,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1535 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SPD30P06
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Contenitore standard del produttore
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