
SPP04N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPP04N80C3XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPP04N80C3XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 4 A (Tc) 63W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPP04N80C3XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,3ohm a 2,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT8N80L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 957 | 785-1434-5-ND | Fr. 1.57000 | Simile |
| FQP8N80C | onsemi | 1’493 | FQP8N80CFS-ND | Fr. 3.23000 | Simile |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 3.07000 | Simile |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Simile |
| IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | 1’306 | IRFBE20PBF-ND | Fr. 2.66000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.10000 | Fr. 2.10 |
| 50 | Fr. 1.01440 | Fr. 50.72 |
| 100 | Fr. 0.90920 | Fr. 90.92 |
| 500 | Fr. 0.72444 | Fr. 362.22 |
| 1’000 | Fr. 0.66502 | Fr. 665.02 |
| 2’000 | Fr. 0.61507 | Fr. 1’230.14 |
| 5’000 | Fr. 0.56102 | Fr. 2’805.10 |
| 10’000 | Fr. 0.52765 | Fr. 5’276.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.10000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.27010 |








