Name: SPP07N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP07N60C3XKSA1-ND
Price: 2.5944 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 7,3 A (Tc) 83W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1

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SPP07N60C3XKSA1
Codice DigiKey	SPP07N60C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP07N60C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7,3 A (Tc) 83W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPP07N60C3XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 350µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPP07N60
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 4,6A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPA60R600P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P7XKSA1-ND	Fr. 1.53000	Consigliato dal produttore
FCP11N60F	onsemi	2’052	FCP11N60FFS-ND	Fr. 3.44000	Simile
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1’718	IRF830APBF-ND	Fr. 2.41000	Simile
IRFB11N50APBF	Vishay Siliconix	307	IRFB11N50APBF-ND	Fr. 3.09000	Simile
IRFB9N60APBF	Vishay Siliconix	4’633	IRFB9N60APBF-ND	Fr. 2.99000	Simile

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 2.40000	Fr. 2.40
50	Fr. 1.19680	Fr. 59.84
100	Fr. 1.07980	Fr. 107.98
500	Fr. 0.91306	Fr. 456.53

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