SPP10N10L Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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SPP10N10L
Codice DigiKey	SPP10N10L-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP10N10L
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10,3 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	154mohm a 8,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 21µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	444 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3-1
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SPP10N