Name: SPP11N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP11N80C3XKSA1-ND
Price: 3.25381 CHF
Availability: InStock

Canale N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1

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SPP11N80C3XKSA1
Codice DigiKey	SPP11N80C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP11N80C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPP11N80C3XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 680µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPP11N80
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 7,1A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1’718	IRF830APBF-ND	Fr. 2.63000	Simile
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	Fr. 3.40000	Simile
STP10N60M2	STMicroelectronics	400	497-13970-5-ND	Fr. 1.84000	Simile
STP11NM80	STMicroelectronics	970	497-4369-5-ND	Fr. 6.25000	Simile
STP13N80K5	STMicroelectronics	1’174	497-13779-5-ND	Fr. 3.68000	Simile

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.01000	Fr. 3.01
50	Fr. 1.51760	Fr. 75.88
100	Fr. 1.37320	Fr. 137.32
500	Fr. 1.12016	Fr. 560.08
1’000	Fr. 1.03887	Fr. 1’038.87
2’000	Fr. 0.97054	Fr. 1’941.08
5’000	Fr. 0.91727	Fr. 4’586.35

Contenitore standard del produttore

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