SPP18P06PHKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

SPP18P06PHKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 620

Prezzo unitario : Fr. 1.71000

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SPP18P06PHKSA1
Codice DigiKey	SPP18P06PHKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPP18P06PHKSA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 18,7 A (Ta) 81,1W (Ta) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	130mohm a 13,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	860 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SPP18P