
SPP20N65C3XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPP20N65C3XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPP20N65C3XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPP20N65C3XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 114 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 25 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 13,1A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP22N65X2 | IXYS | 4’978 | 238-IXFP22N65X2-ND | Fr. 5.79000 | Simile |
| SIHP23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 803 | SIHP23N60E-GE3-ND | Fr. 3.83000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.11000 | Fr. 4.11 |
| 50 | Fr. 2.12740 | Fr. 106.37 |
| 100 | Fr. 1.93660 | Fr. 193.66 |
| 500 | Fr. 1.60218 | Fr. 801.09 |
| 1’000 | Fr. 1.49482 | Fr. 1’494.82 |
| 2’000 | Fr. 1.40459 | Fr. 2’809.18 |
| 5’000 | Fr. 1.39587 | Fr. 6’979.35 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.44291 |

