
SPW35N60C3FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPW35N60C3FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPW35N60C3FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 34,6 A (Tc) 313W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPW35N60C3FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 1,9mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 200 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4500 pF @ 25 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 21,9A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG44N65EF-GE3-ND | Fr. 5.19812 | Diretto |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1’646 | FCH077N65F-F085-ND | Fr. 10.14000 | Simile |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 17 | FCH077N65F-F155-ND | Fr. 9.45000 | Simile |
| IXFH36N60P | IXYS | 510 | IXFH36N60P-ND | Fr. 13.65000 | Simile |
| IXFX48N60Q3 | IXYS | 38 | IXFX48N60Q3-ND | Fr. 29.20000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.54000 | Fr. 9.54 |
| 30 | Fr. 5.63500 | Fr. 169.05 |
| 120 | Fr. 4.77758 | Fr. 573.31 |
| 510 | Fr. 4.14969 | Fr. 2’116.34 |
| 1’020 | Fr. 3.92072 | Fr. 3’999.13 |
| 2’010 | Fr. 3.73218 | Fr. 7’501.68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 10.31274 |









