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Scheda tecnica
SRAM - asincrona Memoria IC 1Mbit Parallelo 10 ns 44-TSOP II
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IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR

Codice DigiKey
IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR
Descrizione
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SRAM - asincrona Memoria IC 1Mbit Parallelo 10 ns 44-TSOP II
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Interfaccia di memoria
Parallelo
Produttore
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
10ns
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Tempo di accesso
10 ns
Stato componente
Attivo
Tensione - Alimentazione
2,4 ~ 3,6V
Programmabile da DigiKey
Non verificato
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di memoria
Volatile
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Formato memoria
Contenitore/involucro
Tecnologia
SRAM - asincrona
Contenitore del fornitore
44-TSOP II
Dimensioni memoria
Codice componente base
Organizzazione della memoria
64K x 16
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IS61WV6416DBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc0IS61WV6416DBLL-10TLI-TR-NDFr. 2.07541Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 2.96316Fr. 2’963.16
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.96316
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.20318