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IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

Codice DigiKey
706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Codice produttore
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR
Descrizione
IC SRAM 8MBIT PAR
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SRAM - asincrona Memoria IC 8Mbit Parallelo 10 ns 48-TFBGA (6x8)
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
SRAM
Tecnologia
SRAM - asincrona
Dimensioni memoria
8Mbit
Organizzazione della memoria
512K x 16
Interfaccia di memoria
Parallelo
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
10ns
Tempo di accesso
10 ns
Tensione - Alimentazione
2,4 ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 125°C (TA)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q100
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
48-TFBGA
Contenitore del fornitore
48-TFBGA (6x8)
Codice componente base
IS64WV51216
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Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 10.10834Fr. 25’270.85
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 10.10834
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 10.92712