IXFH36N55Q2 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFH36N55Q2
Codice DigiKey	IXFH36N55Q2-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFH36N55Q2
Descrizione	MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 550 V 36 A (Tc) 560W (Tc) Foro passante TO-247AD (IXFH)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q2 Class
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	550 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	36 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	560W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247AD (IXFH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXFH36