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IXYS
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Prezzo unitario : Fr. 36.99000
Scheda tecnica

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Microchip Technology
In magazzino: 0
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Scheda tecnica
238~SOT227B~~4
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IXFN130N30

Codice DigiKey
IXFN130N30-ND
Produttore
Codice produttore
IXFN130N30
Descrizione
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 300 V 130 A (Tc) 700W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Modelli EDA/CAD
IXFN130N30 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
300 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
14500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore
SOT-227B
Contenitore/involucro
Codice componente base
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