IXFN20N120 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

IXFN20N120 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Microchip Technology

In magazzino: 49

Prezzo unitario : Fr. 23.04000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IXFN20N120
Codice DigiKey	IXFN20N120-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN20N120
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 20 A (Tc) 780W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	750mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7400 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	780W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base	IXFN20