IXFN55N120SK IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXFN55N120SK
Codice DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN55N120SK
Descrizione	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 54 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 42mohm a 40A, 15V
Produttore IXYS	Vgs(th) max a Id 3,6V a 12mA
Confezionamento Tubo	Carica del gate (Qg) max a Vgs 107 nC @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Vgs (max) +15V, -4V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3360 pF @ 1000 V
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 54 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-227B
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V	Contenitore/involucro SOT-227-4, miniBLOC

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