IXFN55N120SK IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFN55N120SK
Codice DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN55N120SK
Descrizione	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 54 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	54 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	42mohm a 40A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (max)	+15V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3360 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC

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