Canale N 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
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IXFN66N85X

Codice DigiKey
238-IXFN66N85X-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXFN66N85X
Descrizione
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
850 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
65mohm a 33A, 10V
Vgs(th) max a Id
5,5V a 8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
830W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore
SOT-227B
Contenitore/involucro
SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base
IXFN66
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