IXFQ50N60X IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFQ50N60X
Codice DigiKey	IXFQ50N60X-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFQ50N60X
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Foro passante TO-3P

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	73mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4660 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	660W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3P
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base	IXFQ50