IXFT12N100Q IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

IXFT12N100Q è obsoleto e non è più in produzione.

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IXYS

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Prezzo unitario : Fr. 15.01000

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IXFT12N100Q
Codice DigiKey	IXFT12N100Q-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFT12N100Q
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1000 V 12 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-268AA

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,05ohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	5,5V a 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2900 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-268AA
Contenitore/involucro	TO-268-3, D3PAK (2 conduttori+linguetta), TO-268AA
Codice componente base	IXFT12