
IXFT18N100Q3 | |
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Codice DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXFT18N100Q3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Tempi di consegna standard del produttore | 46 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) A montaggio superficiale TO-268AA |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 660mohm a 9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 6,5V a 4mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 90 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4890 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 830W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-268AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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300 | Fr. 10.66050 | Fr. 3’198.15 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 10.66050 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 11.52400 |