IXFX90N60X IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFX90N60X
Codice DigiKey	IXFX90N60X-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFX90N60X
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 90 A (Tc) 1100W (Tc) Foro passante PLUS247™-3

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	38mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	8500 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PLUS247™-3
Contenitore/involucro	Variante TO-247-3
Codice componente base	IXFX90