IXFY5N50P3 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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Prezzo unitario : Fr. 1.50000

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IXFY5N50P3
Codice DigiKey	IXFY5N50P3-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFY5N50P3
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 5 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,65ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	370 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IXFY5N50