Name: IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA110N65L2-7TR-ND
Price: 11.0262 CHF
Availability: InStock

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IXSA110N65L2-7TR
Codice DigiKey	238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSA110N65L2-7TR
Descrizione	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 12mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 125 nC @ 18 V
Stato componente Attivo	Vgs (max) +20V, -5V
Tipo FET Canale N	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3090 pF @ 600 V
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 111A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore del fornitore TO-263-7
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 40A, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

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Nastrato in bobina (TR)

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Contenitore standard del produttore

238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 10.20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 11.02620

IXSA110N65L2-7TR