Nuovo prodotto
TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

IXSA110N65L2-7TR

Codice DigiKey
238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXSA110N65L2-7TR
Descrizione
650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
-
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
111A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
33mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 12mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
125 nC @ 18 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3090 pF @ 600 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.71000Fr. 8.71
10Fr. 6.02600Fr. 60.26
100Fr. 5.03950Fr. 503.95
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 4.11724Fr. 3’293.79
Contenitore standard del produttore
238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 8.71000Fr. 8.71
10Fr. 6.02600Fr. 60.26
100Fr. 5.03950Fr. 503.95
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 8.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 9.41551