


IXSA65N120L2-7TR | |
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Codice DigiKey | 238-IXSA65N120L2-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXSA65N120L2-7TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXSA65N120L2-7TRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IXSA65N120L2-7TR |
Descrizione | 1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 65 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 53mohm a 20A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 9mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 110 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2160 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.84000 | Fr. 7.84 |
| 10 | Fr. 5.39200 | Fr. 53.92 |
| 100 | Fr. 4.38950 | Fr. 438.95 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 3.58621 | Fr. 2’868.97 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 7.84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 8.47504 |

