Name: IXSG60N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG60N65L2KTR-ND
Price: 8.98311 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IXSG60N65L2K
Codice DigiKey	238-IXSG60N65L2KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXSG60N65L2KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXSG60N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSG60N65L2K
Descrizione	650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 7,5mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 94.7 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 600 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 249W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 20A, 18V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 3.57220	Fr. 7’144.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 8.31000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 8.98311

IXSG60N65L2K