Name: IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH65N120L2KHV-ND
Price: 8.66962 CHF
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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IXSH65N120L2KHV
Codice DigiKey	238-IXSH65N120L2KHV-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSH65N120L2KHV
Descrizione	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 20A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 9mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2160 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 5.51800	Fr. 55.18
450	Fr. 3.69138	Fr. 1’661.12

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