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Canale N 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Foro passante ISO247-4L
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Canale N 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Foro passante ISO247-4L
TO-247-4

IXSJ80N120R1K

Codice DigiKey
238-IXSJ80N120R1K-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXSJ80N120R1K
Descrizione
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Foro passante ISO247-4L
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
85 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
23,4mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,8V a 22,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
155 nC @ 18 V
Vgs (max)
+21V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4556 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
223,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
ISO247-4L
Contenitore/involucro
TO-247-4
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 22.92000Fr. 22.92
30Fr. 14.88700Fr. 446.61
120Fr. 14.32483Fr. 1’718.98
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 22.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 24.77652