Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 25.21973 CHF
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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IXSJ80N120R1K
Codice DigiKey	238-IXSJ80N120R1K-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXSJ80N120R1K
Descrizione	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Foro passante ISO247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	85 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	23,4mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,8V a 22,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	155 nC @ 18 V
Vgs (max)	+21V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4556 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	223,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	ISO247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 23.33000	Fr. 23.33
10	Fr. 17.08100	Fr. 170.81
300	Fr. 14.58000	Fr. 4’374.00

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