Canale N, modalità depletion 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
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IXTA08N100D2HV

Codice DigiKey
238-IXTA08N100D2HV-ND
Produttore
Codice produttore
IXTA08N100D2HV
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 25µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14.6 nC @ 5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
325 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-263HV
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
21ohm a 400mA, 0V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 600
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.96000Fr. 4.96
50Fr. 2.61760Fr. 130.88
100Fr. 2.39140Fr. 239.14
500Fr. 1.99542Fr. 997.71
1’000Fr. 1.86832Fr. 1’868.32
2’000Fr. 1.80076Fr. 3’601.52
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.96000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.36176