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IXYS
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Scheda tecnica
Canale N 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXTA110N055T2-TRL

Codice DigiKey
238-IXTA110N055T2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IXTA110N055T2-TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3060 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
6,6mohm a 25A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IXTA110N055T2IXYS0IXTA110N055T2-NDFr. 3.31000Equivalente parametrico
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 1.28604Fr. 1’028.83
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.28604
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.39021