Name: IXTA120P065T-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA120P065T-TRLTR-ND
Price: 3.37915 CHF
Availability: OutOfStock

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IXTA120P065T-TRL
Codice DigiKey	238-IXTA120P065T-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA120P065T-TRL
Descrizione	MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 185 nC @ 10 V
Serie TrenchP™	Vgs (max) ±15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13200 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 298W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 65 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTA120
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 60A, 10V