Name: IXTA180N10T7-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA180N10T7-TRLTR-ND
Price: 3.60831 CHF
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IXTA180N10T7-TRL
Codice DigiKey	238-IXTA180N10T7-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA180N10T7-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 180 A (Tc) 480W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 (IXTA)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 151 nC @ 10 V
Serie Trench	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263-7 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXTA180
RDSon (max) a Id, Vgs 6,4mohm a 25A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTA180N10T7	IXYS	0	IXTA180N10T7-ND	Fr. 3.08120	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.33794
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.60831

IXTA180N10T7-TRL