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IXTA3N100D2HV-TRL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTA3N100D2HV-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA3N100D2HV-TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 1000 V 3 A (Tj) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 0V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6ohm a 1,5A, 0V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 37.5 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1020 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263HV | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 2.37650 | Fr. 1’901.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.37650 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.56900 |
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