Name: IXTA3N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTA3N100P-ND
Price: 2.08971 CHF
Availability: OutOfStock

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IXTA3N100P
Codice DigiKey	IXTA3N100P-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA3N100P
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Polar
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263AA
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IXTA3

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