Name: IXTA3N120-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA3N120-TRLTR-ND
Price: 8.44261 CHF
Availability: InStock

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IXTA3N120-TRL
Codice DigiKey	238-IXTA3N120-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTA3N120-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTA3N120-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA3N120-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5ohm a 1,5A, 10V	Codice componente base IXTA3

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 3.29118	Fr. 2’632.94

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 7.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 8.44261

IXTA3N120-TRL