IXTH13N110 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXTH13N110
Codice DigiKey	IXTH13N110-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTH13N110
Descrizione	MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1100 V 13 A (Tc) 360W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	MegaMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	13 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	920mohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5650 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247 (IXTH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXTH13