IXTH30N25 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IXTH30N25
Codice DigiKey	IXTH30N25-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTH30N25
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 30A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 30 A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	75mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3950 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247 (IXTH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXTH30