IXTH60N25 IXYS | FET, MOSFET singoli

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STMicroelectronics

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Prezzo unitario : Fr. 3.02000

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IXTH60N25
Codice DigiKey	IXTH60N25-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTH60N25
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 60 A (Tc) 400W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 164 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4400 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-247-3
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 15A, 10V	Codice componente base IXTH60

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STP50NF25	STMicroelectronics	327	497-STP50NF25-ND	Fr. 3.02000	Simile

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IXTH60N25