Consigliato dal produttore
Simile
Simile
Simile

IXTH64N65X | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTH64N65X-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTH64N65X |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 64A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 64 A (Tc) 890W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 143 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5500 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247 (IXTH) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 51mohm a 32A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | Fr. 11.74000 | Consigliato dal produttore |
| FCH47N60N | onsemi | 1’816 | 1990-FCH47N60N-ND | Fr. 10.98000 | Simile |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | Fr. 6.14000 | Simile |
| SIHG47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 403 | SIHG47N60EF-GE3-ND | Fr. 8.85000 | Simile |





