IXTH64N65X IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXTH64N65X
Codice DigiKey	IXTH64N65X-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTH64N65X
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 64 A (Tc) 890W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Ultra X
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	64 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	51mohm a 32A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5500 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	890W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247 (IXTH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXTH64