Name: IXTP3N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N100D2-ND
Price: 4.11861 CHF
Availability: InStock

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IXTP3N100D2
Codice DigiKey	238-IXTP3N100D2-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTP3N100D2
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 1000 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Depletion
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5ohm a 1,5A, 0V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	37.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1020 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IXTP3

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.81000	Fr. 3.81
50	Fr. 2.32240	Fr. 116.12
100	Fr. 2.22660	Fr. 222.66
500	Fr. 2.07388	Fr. 1’036.94
1’000	Fr. 1.78364	Fr. 1’783.64

Contenitore standard del produttore

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