IXTQ180N055T IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

IXTQ180N055T è obsoleto e non è più in produzione.

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IXYS

In magazzino: 199

Prezzo unitario : Fr. 5.70000

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IXTQ180N055T
Codice DigiKey	IXTQ180N055T-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTQ180N055T
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 180 A (Tc) Foro passante TO-3P

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	160 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5800 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3P
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3