Canale N 3000 V 1 A (Tc) 195W (Tc) A montaggio superficiale TO-268HV (IXTT)
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IXTT1N300P3HV

Codice DigiKey
238-IXTT1N300P3HV-ND
Produttore
Codice produttore
IXTT1N300P3HV
Descrizione
MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Tempi di consegna standard del produttore
47 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 3000 V 1 A (Tc) 195W (Tc) A montaggio superficiale TO-268HV (IXTT)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30.6 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
895 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
195W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
3000 V
Contenitore del fornitore
TO-268HV (IXTT)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
50ohm a 500mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 37.24000Fr. 37.24
30Fr. 25.10933Fr. 753.28
120Fr. 24.17592Fr. 2’901.11
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 37.24000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 40.25644