Name: IXTT2N170D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT2N170D2-ND
Price: 26.46288 CHF
Availability: InStock

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IXTT2N170D2
Codice DigiKey	238-IXTT2N170D2-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTT2N170D2
Descrizione	MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 1700 V 2 A (Tj) 568W (Tc) A montaggio superficiale TO-268AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Depletion
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	6,5ohm a 1A, 0V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3650 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	568W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-268AA
Contenitore/involucro	TO-268-3, D3PAK (2 conduttori+linguetta), TO-268AA
Codice componente base	IXTT2

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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30	Fr. 15.96767	Fr. 479.03
120	Fr. 15.49067	Fr. 1’858.88

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