


IXTY08N100D2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTY08N100D2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTY08N100D2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1000 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | - | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 21ohm a 400mA, 0V | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 325 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.93000 | Fr. 3.93 |
| 70 | Fr. 1.94429 | Fr. 136.10 |
| 140 | Fr. 1.77614 | Fr. 248.66 |
| 560 | Fr. 1.51582 | Fr. 848.86 |
| 1’050 | Fr. 1.42930 | Fr. 1’500.77 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.24833 |


