Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY08N50D2

Codice DigiKey
IXTY08N50D2-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY08N50D2
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
RDSon (max) a Id, Vgs
4,6ohm a 400mA, 0V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
312 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.06000Fr. 3.06
70Fr. 1.47257Fr. 103.08
140Fr. 1.33757Fr. 187.26
560Fr. 1.12857Fr. 632.00
1’050Fr. 1.05520Fr. 1’107.96
2’030Fr. 0.98971Fr. 2’009.11
5’040Fr. 0.93947Fr. 4’734.93
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.30786