


IXTY2N65X2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTY2N65X2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTY2N65X2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 41 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 2 A (Tc) 55W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 180 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3ohm a 1A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | onsemi | 35’873 | FDD5N60NZTMCT-ND | Fr. 1.48000 | Simile |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | 624 | IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND | Fr. 1.10000 | Simile |
| STD4N62K3 | STMicroelectronics | 3’318 | 497-STD4N62K3CT-ND | Fr. 2.20000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.38000 | Fr. 2.38 |
| 70 | Fr. 1.11871 | Fr. 78.31 |
| 140 | Fr. 1.01143 | Fr. 141.60 |
| 560 | Fr. 0.84493 | Fr. 473.16 |
| 1’050 | Fr. 0.78647 | Fr. 825.79 |
| 2’030 | Fr. 0.73428 | Fr. 1’490.59 |
| 5’040 | Fr. 0.67509 | Fr. 3’402.45 |
| 10’010 | Fr. 0.66692 | Fr. 6’675.87 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.57278 |

