Name: IXTA3N120HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA3N120HV-ND
Price: 7.38323 CHF
Availability: InStock

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IXTA3N120HV
Codice DigiKey	IXTA3N120HV-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA3N120HV
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IXTA3N120HV Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263HV
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IXTA3

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 6.83000	Fr. 6.83
50	Fr. 3.74140	Fr. 187.07
100	Fr. 3.68830	Fr. 368.83
500	Fr. 3.27560	Fr. 1’637.80

Contenitore standard del produttore

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