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1N5621US
Microchip Technology
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Equivalente parametrico

JAN1N5621US/TR
Microchip Technology
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Scheda tecnica

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JANS1N5621US
Microchip Technology
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Scheda tecnica

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JANS1N5621US/TR
Microchip Technology
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JANTXV1N5621US/TR
Microchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 10.62670
Scheda tecnica
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Diodi 800 V 1A A montaggio superficiale D-5A
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1N5621US/TR

Codice DigiKey
150-1N5621US/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Microchip Technology
Codice produttore
1N5621US/TR
Descrizione
DIODE STANDARD 800V 1A D5A
Tempi di consegna standard del produttore
35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 800 V 1A A montaggio superficiale D-5A
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Microchip Technology
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.6 V @ 3 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
300 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
500 nA @ 800 V
Capacità a Vr, F
20pF a 12V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SQ-MELF, A
Contenitore del fornitore
D-5A
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65°C ~ 175°C
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
112Fr. 5.79286Fr. 648.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 5.79286
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 6.26208